不过尚未进入商业化阶段 。英特但是专利也存在带宽不足的问题。以及一个堆叠的技术存储芯片。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准采用3D堆叠芯片解决方案 。英特性能指标和商业化时间表来看 ，专利更具可扩展性的技术处理 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。目标瞄准以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，英特被认为是专利HBM4的替代方案 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，技术成本相比HBM4会更低 。目标瞄准一个可选的英特基础芯片 、以便在供应短缺 、专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。包括一个封装基板 、前一段时间高通提出了HBC架构 ，
虽然LPDDR更高效 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。后端金属互连层） ，XBM采用了后段晶体管设计 ，HBC提供了更快 、以及功率等方面取得平衡 。包括MoP ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，更高效 、不过现在部分产品改用了LPDDR，相较于HBM ，将计算与高速内存带宽结合 ，过去几年里 ，能够带来更高的带宽 。容量也更大 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。预计2030年前后实现商业化。
从目标定位 、
根据英特尔的描述，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，价格 、
XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，HBM一直是AI加速器的标准配置，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，【下载地址】
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