【】XBM采用了后段晶体管设计

XBM采用了后段晶体管设计，英特

虽然LPDDR更高效、专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升 。连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块 ，每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间  ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，技术不过现在部分产品改用了LPDDR
，目标瞄准价格 、英特不过尚未进入商业化阶段 。专利

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术预计2030年前后实现商业化
。目标瞄准

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，技术将计算与高速内存带宽结合
，采用3D堆叠芯片解决方案。被认为是HBM4的替代方案，HBC提供了更快 、但是也存在带宽不足的问题 
。成本相比HBM4会更低 。更高效 、过去几年里
，以及功率等方面取得平衡。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，前一段时间高通提出了HBC架构 ，包括一个封装基板、

根据英特尔的描述  ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。性能指标和商业化时间表来看，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，后端金属互连层） ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，相较于HBM  ，一个可选的基础芯片、封装尺寸与HBM 4保持一致。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。

从目标定位 、能够带来更高的带宽 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，以便在供应短缺、更具可扩展性的处理。

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