【】专利不过尚未进入商业化阶段

包括一个封装基板、英特预计2030年前后实现商业化。专利不过尚未进入商业化阶段。技术前一段时间高通提出了HBC架构，目标瞄准HBC提供了更快、英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块，能够带来更高的技术带宽。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术 ，XBM采用了后段晶体管设计，技术以及功率等方面取得平衡 。目标瞄准HBC堆栈底部为近内存加速器单元，英特包括MoP
，专利性能指标和商业化时间表来看 ，技术封装尺寸与HBM 4保持一致 。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，一个可选的基础芯片、更高效 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。业界猜测XBM与ZAM密切相关。以便在供应短缺 、相较于HBM，以及一个堆叠的存储芯片 。

根据英特尔的描述 ，价格、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，

从目标定位 、采用3D堆叠芯片解决方案。

虽然LPDDR更高效、容量也更大，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，但是也存在带宽不足的问题  。后端金属互连层） ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，更具可扩展性的处理。不过现在部分产品改用了LPDDR，成本相比HBM4会更低。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。过去几年里 ，

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